
16 672 ₴
Показати оптові ціни
Відправка з 14 жовтня 2026Твердотільний накопичувач SSD 990 має високу продуктивність із високою гнучкістю в надійному пристрої. Sie bietet zuverlässige Leistung in verschiedensten Anwendungsbereichen - von produktivem Arbeiten über kreative Anwendungen bis hin zu Gaming.
Твердотільний накопичувач Samsung 990 - Розумний накопичувач для високої продуктивності.
У schnelle Ladezeiten beim Gaming, große Datenmengen bei der Arbeit orer anspruchsvolle kreative Projekte: Die SSD 990 ist bereit für datenintensive Herausforderungen des Alltags. Dank moderner PCIe-4.0-Technologie erreicht sie Lesegeschwindigkeiten von bis zu zu zu 7,250 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu zu 6,450 MB/s. Damit lassen sich hochauflösende Foto- und Videodateien ohne lange Wartezeiten übertragen, umfangreiche Projektdateien können mühelos exportiert werden und selbst große Games starten schnell. Die 990 ist ideal für alle, die eine vielseitige Einstiegslösung mit vitter Performance für den täglichen Einsatz suchen.
Основні характеристики продукту:
| Генерал | |
| Дизайн | М.2 2280 |
| Технологія | NVMe |
| Модель | 990 |
| Читати (до) | 7150 МБ/с |
| Написати (до) | 6450 МБ/с |
| Тип | 3D NAND QLC, Samsung, 286 шарів |
| Електричні показники | |
| Ємність | 960 - 1050 ГБ |
| Знижка на вагу тіла | 400 ТБ |
| Інтерфейси | |
| Підключення | M.2/M-клавіша (PCIe 4.0 x4) |
| Реалізація | |
| Пам'ять | 1000 ГБ |
| Заходи | |
| Висота | 2,38 мм |
| Ширина | 22 мм |
| Глибина | 80 мм |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | САМСУНГ |









| Габаритні розміри | |
|---|---|
| Висота | 2.38 мм |
| Ширина | 22 мм |
| Основні | |
| Виробник | Samsung |
| Тип диска | SSD |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 8806099020699 |
| RoHS | відповідати |
| Вага | 0,069 кг |
| Глибина | 80 мм |
| Дизайн | М.2 2280 |
| Місткість | 960 — 1050 ГБ |
| ідентифікатор виробника | MZ-V9V1T0BW |
| Код ТН ВЕД | 84717098 |
| Мoдель | 990 |
| Напишіть (до) | 6450 МБ/с |
| Пам'ять | 1000 ГБ |
| Стояти (до) | 7150 МБ/с |
| З'єднання | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) |
| ТБВ | 400 ТБ |
| Технологія | NVMe |
| Тип | 3D-NAND QLC, Samsung, 286 слоев |