Високошвидкісна SRAM, 1 Мб (128 К x 8), 3,3 В, 10нс, TSOP-32

Високошвидкісна статична CMOS-пам'ять 3,3V 128kx8 10ns TSOP32(I) з ECC

Опис:
ISSI IS61/64WV1288EEBLL — це високошвидкісна статична оперативна пам'ять ємністю 1048576 біт, організована як 131072 слова по 8 біт. Вона виготовлена з використанням високопродуктивної CMOS-технології ISSI. Цей високонадійний процес у поєднанні з інноваційними методами проектування схем забезпечує високопродуктивні пристрої з низьким енергоспоживанням. Коли CE має високий рівень (вимкнено), пристрій переходить у режим очікування, в якому розсіювання потужності можна зменшити за допомогою вхідних рівнів CMOS. Легке розширення пам'яті забезпечується за допомогою входів Chip Enable та Output Enable, CE та OE. Активний LOW Write Enable (WE) керує як записом, так і читанням пам'яті. IS61/64WV1288EEBLL виконаний у стандартному 32-контактному корпусі SOJ, TSOP-II, sTSOP-I та 48-кульковому BGA (6 мм x 8 мм) за стандартом JEDEC.

Особливості:
- Час високошвидкісного доступу: 10 нс
- Низька активна потужність: 85 мВт (типово)
- Низьке енергоспоживання в режимі очікування: 7 мВт (типове) CMOS у режимі очікування
- Одне джерело живлення
- Повністю статична робота: не потрібні тактові сигнали чи оновлення
- Три виходи стану
- Підтримка промислових та автомобільних температур
- Доступний без свинцю
- Виявлення та виправлення помилок