Високошвидкісна SRAM, 1 Мб (64 К x 16), 5 В, 12 нс, TSOP-44

64K x 16 високошвидкісної статичної пам'яті CMOS 64K x 16

Опис:
ISSI IS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL та IS65C6416AL – це високошвидкісні статичні оперативні пам'яті ємністю 1048576 біт, організовані як 65536 слів на 16 біт. Вони виготовлені з використанням високопродуктивної CMOS-технології ISSI. Цей високонадійний процес у поєднанні з інноваційними методами проектування схем забезпечує час доступу до 12 нс з низьким енергоспоживанням. Коли CE має високий рівень (вимкнено), пристрій переходить у режим очікування, в якому розсіювання потужності можна зменшити за допомогою вхідних рівнів CMOS. Легке розширення пам'яті забезпечується за допомогою входів Chip Enable та Output Enable, CE та OE. Активний LOW Write Enable (WE) керує як записом, так і читанням пам'яті. Байт даних дозволяє доступ до верхнього байта (UB) та нижнього байта (LB). Мікроконтролери IS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL та IS65C6416AL виконані в стандартному 400-міл SOJ з 44-вивідним роз'ємом та 44-вивідним TSOP (тип II) за стандартом JEDEC.

Особливості:
- IS61C6416AL та IS64C6416AL
- Час високошвидкісного доступу: 12 нс, 15 нс
- Низька активна потужність: 175 мВт (типова)
- Низька потужність в режимі очікування: 1 мВт (типовий) CMOS режим очікування
- IS62C6416AL та IS65C6416AL
- Високошвидкісний час доступу: 35 нс, 45 нс
- Низька активна потужність: 50 мВт (типова)
- Низьке енергоспоживання в режимі очікування: 100 мкВт (типове) CMOS у режимі очікування
- Рівні інтерфейсу, сумісні з TTL
- Одне джерело живлення 5 В ± 10%
- Повністю статична робота: не потрібні тактові сигнали чи оновлення
- Доступний у 44-контактному корпусі SOJ та 44-контактному TSOP (тип II)
- Доступні діапазони температур для комерційних, промислових та автомобільних приміщень
- Доступний без свинцю