Високошвидкісна SRAM, 4 Мб (256 К x 16), 3,3 В, 10 нс, TSOP-44

Високошвидкісна статична пам'ять CMOS 3,3V 256kx16 10ns TSOP44(II)

Функціональний опис
CY7C1041GN - це високопродуктивна CMOS-швидкодіюча статична пам'ять, організована у вигляді 256K слів по 16 біт. Запис даних виконується шляхом встановлення низького рівня на входах Chip Enable (CE) і Write Enable (WE), при цьому дані подаються на виводи I/O0 - I/O15, а адреса - на виводи A0 - A17. Входи Byte High Enable (BHE) і Byte Low Enable (BLE) керують операціями запису в старший і молодший байти вказаної комірки пам'яті. BHE контролює входи/виходи з I/O8 по I/O15, а BLE контролює входи/виходи з I/O0 по I/O7. Зчитування даних виконується шляхом встановлення низького рівня на входах Chip Enable (CE) і Output Enable (OE) і подачі необхідної адреси на адресні лінії. Зчитані дані доступні на лініях вводу/виводу (I/O0 - I/O15). Байтовий доступ може бути виконаний шляхом встановлення необхідного сигналу дозволу байта (BHE або BLE) для зчитування або старшого, або молодшого байта даних з вказаної адресної комірки. Всі входи/виходи (I/O0 - I/O15) переходять у високоімпедансний стан під час наступних подій:
- Вибір пристрою скасовано (CE HIGH)
- Керуючі сигнали (OE, BLE, BHE) деактивовано

Особливості
- Висока швидкість: tAA = 10 нс
- Низькі активні та резервні струми
- Активний струм: ICC = 38 мА типовий
- Струм у режимі очікування: ISB2 = 6 мА типовий
- Діапазон робочої напруги: від 2,2 В до 3,6 В
- Збереження даних 1,0 В
- TTL-сумісні входи та виходи
- Безсвинцевий 44-контактний SOJ, 44-контактний TSOP II