Кошик

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 09:00 найближчого робочого дня (завтра, 08.10).

RoboTrade
Контакти
RoboTradeАнтоніна
+380 (67) 106-52-87

Високошвидкісна SRAM, 1 Мб (64 К x 16), 3,3 В, 10 нс, TSOP-44

252 ₴

Показати оптові ціни

Мінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴

  • Під замовлення
  • Оптом і в роздріб
  • Код: 2242154336
clockВідправка з 14 жовтня 2026
Високошвидкісна SRAM, 1 Мб (64 К x 16), 3,3 В, 10 нс, TSOP-44Під замовлення
252 ₴
+380 (67) 106-52-87
+380 (67) 106-52-87
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Високошвидкісна статична пам'ять CMOS 3,3V 64kx16 10ns TSOP44(II)

Функціональний опис
CY7C1021DV33 - це високопродуктивна статична CMOS-пам'ять, організована у вигляді 65 536 слів по 16 біт. Цей пристрій має функцію автоматичного вимкнення живлення, що значно зменшує енергоспоживання, коли його не вибрано. Запис до пристрою здійснюється шляхом встановлення низького рівня на входах Chip Enable (CE) та Write Enable (WE). Якщо Byte Low Enable (BLE) знаходиться в низькому рівні, то дані з виводів вводу/виводу (I/O0 - I/O7) записуються в комірку, вказану на адресних виводах (A0 - A15). Якщо Byte High Enable (BHE) - LOW, то дані з виводів вводу/виводу (I/O8 - I/O15) записуються в місце, вказане на адресних виводах (A0 - A15). Читання з пристрою виконується шляхом встановлення низького рівня Chip Enable (CE) і Output Enable (OE), а також примусового встановлення високого рівня Write Enable (WE). Якщо низький рівень дозволу байта (BLE) низький, то дані з комірки пам'яті, вказаної адресними виводами, з'являться на виводах I/O0 - I/O7. Якщо сигнал дозволу старшого байта (BHE) низький, то дані з пам'яті з'являться на входах I/O8 - I/O15. Повний опис режимів читання і запису наведено в таблиці істинності в кінці цієї специфікації. Виводи вводу/виводу (I/O0 - I/O15) знаходяться у високоімпедансному стані, коли пристрій не вибрано (CE HIGH), виводи відключені (OE HIGH), BHE і BLE відключені (BHE, BLE HIGH) або під час операції запису (CE LOW і WE LOW). CY7C1021DV33 випускається в безсвинцевих 44-контактних корпусах SOJ шириною 400 мкм, 44-контактних корпусах TSOP II і 48-контактних корпусах VFBGA.

Особливості
- Діапазон температур
- Промислове: від -40 °C до 85 °C
- Автомобільна-A: від -40 °C до 85 °C
- Сумісний з CY7C1021CV33 за контактами та функціями
- Висока швидкість: taa = 10 нс
- Низька активна потужність: Icc = 60 мА при 10 нс
- Низьке енергоспоживання CMOS в режимі очікування: Isb2 = 3 мА
- Збереження даних 2,0 В
- Автоматичне вимкнення живлення після зняття вибору
- CMOS для оптимальної швидкості/потужності
- Незалежне керування верхніми та нижніми бітами
- Доступні в безсвинцевих литих корпусах SOJ шириною 400 міл з 44 виводами, TSOP II з 44 виводами та VFBGA з 48 кульками.

Генерал
Тип Висока швидкість
Модель SRAM
Дизайн асинхронний
Форма кріплення TSOP-44
Пам'ять 1 Мб (64 кб x 16)
Електричні показники
Час доступу 10 нс
Напруга живлення 3,3 В ПОСТІЙНОГО СТРУМУ
Інше
Температурний діапазон -40 ... +85
Реалізація
Розмір слова 16 біт
Технічні характеристики виробника
Виробник КИПАРИС

 

Високошвидкісна SRAM, 1 Мб (64 К x 16), 3,3 В, 10 нс, TSOP-44
Характеристики
Основні
ВиробникSram
Користувальницькі характеристики
EAN/GTIN9900002846211
RoHSвідповідати
Вага1,0E-4 кг
Час доступу10 нс
Дизайнасинхрон
ідентифікатор виробникаCY7C1021DV33-10ZSXI
Код ТН ВЕД85423245
МoдельSRAM
Напруга живлення3,3 В ПОСТОВНОГО ТОКА
Пам'ять1 Мб (64kx16)
Розмір слова16 бит
Температурний діапазон-40 ... +85
ТипВисока швидкість
Форма монтажаTSOP-44
Інформація для замовлення
  • Ціна: 252 ₴