SRAM, 256 Кб (32 Кб x 8), 20 МГц, 2,7..3,6 В, SO-8

256 Кбіт/с послідовний низькоенергетичний SRAM

23X256 від Microchip Technology Inc. – це 256-кілобітний послідовний SRAM-пристрій. Доступ до пам'яті здійснюється через просту послідовну шину, сумісну з послідовним периферійним інтерфейсом (SPI). Необхідними сигналами шини є вхід тактової частоти (SCK), а також окремі лінії входу (SI) та виходу (SO) даних. Доступ до пристрою контролюється через вхід вибору мікросхеми (CS). Зв'язок з пристроєм можна призупинити за допомогою контакту утримання (HOLD). Поки пристрій призупинено, переходи на його входах будуть ігноруватися, за винятком вибору мікросхеми, що дозволяє хосту обслуговувати переривання з вищим пріоритетом. 23X256 доступний у стандартних корпусах, включаючи 8-вивідні PDIP та SOIC, та вдосконалених корпусах, включаючи 8-вивідні TSSOP.

Основні характеристики

• Макс. тактова частота 20 МГц
• Низькоенергетична CMOS-технологія: струм зчитування: 3 мА при 1 МГц - струм очікування: макс. 4 мкА при 3,6 В
• Організація 32 768 x 8 біт
• Штифт HOLD
• Гнучкі режими роботи: читання та запис байтів - сторінковий режим (32-байтова сторінка) - послідовний режим
• Послідовне читання/запис