213 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴
Відправка з 14 жовтня 2026Низьке падіння напруги вмикання (VCE(sat))
Втрати вимикання включають хвостовий струм
Втрати, включаючи енергію відновлення діода
Робота на високій частоті до 70 кГц
Дуже м'який, надшвидкий антипаралельний діод
| Генерал | |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Дизайн | дуже швидкий IGBT з надшвидким діодом |
| Технологія | PowerMESH™ |
| Форма кріплення | D2Pak |
| Електричні показники | |
| Уцео | 600 V |
| Ік | 14 А |
| Загальна кількість | 80 W |
| тд (увімкнено) | 18.5 |
| тд (вимкнено) | 18.5 |
| Ікпулс | 50 A |
| Ік25 | 25 A |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | СТМІКРОЕЛЕКТРОНІКС |

| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900003872462 |
| Ic | 14 А |
| Icpuls | 50 А |
| Ptot | 80 Вт |
| RoHS | відповідати |
| Uceo | 600 V |
| td (off) | 18.5 |
| td (on) | 18.5 |
| Вага | 0,001 кг |
| Дизайн | дуже швидкий IGBT з ультрашвидким діодом |
| ідентифікатор виробника | STGB7NC60HDT4 |
| Ик25 | 25 А |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Технологія | PowerMESH™ |
| Тип | IGBT-транзистори |
| Форма монтажа | D2Pak |