IGBT транзистор, 600 В, 10 А, 110 Вт, D2Pak

Дискретний IGBT 600 В, 10 А в корпусі TO263

Жорстко комутований дискретний транзистор TRENCHSTOP™ IGBT3 на 600 В, 10 А в корпусі TO263 D2Pak забезпечує значне покращення статичних та динамічних характеристик компонента завдяки поєднанню концепції траншейної комірки та польового обмежувача. Найвища ефективність досягається завдяки найкращому компромісу між втратами на комутацію та провідність.

Огляд функцій

• Найнижче падіння VCEsat для менших втрат провідності
• Низькі втрати при перемиканні
• Легке паралельне підключення завдяки позитивному температурному коефіцієнту у VCEsat
• Висока стійкість, стабільність до температур
• Низький рівень електромагнітних випромінювань
• Низький заряд на вході
• Дуже вузький розподіл параметрів

• Найвища ефективність – низькі втрати в мережі та комутації
• Повний асортимент на 600 В та 1200 В для гнучкості проектування
• Висока надійність пристроїв