
390 ₴
Показати оптові ціни
Відправка з 14 жовтня 20261EDC30I12MH із сімейства 1EDC30I12MH є ізольованим одним затвором/високим боком для IGBT, MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD VCC1 3,1..5,5, VCC2 n. g. V, 3,3-/5-V-Logik Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit iignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, noinvertierend, galvanische Isolation UL1577 / n. g. kVrms, гальванічна ізоляція, активний затискач Міллера, UVLO. Bauform PG-DSO-8 Wide Body, SMD, -40+125 °C unterstützt ine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
±3,0 A із затискачем Міллера 3,0 A
| Генерал | |
| Тип | Ґейт-Трайбер |
| Модель | Ізольований драйвер одного затвора / High-side |
| Дизайн | інвертування |
| Технологія | IGBT, MOSFET |
| Форма кріплення | PG-DSO Wide Body-8 |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| Напруга живлення | VCC1 3.1..5.5; VCC2 В постійного струму |
| Піковий струм джерела | 3 A |
| Піковий струм стоку | 3 A |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -40..+125 |
| Реалізація | |
| Канали | 1 |
| Стиль монтажу | SMD |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Логіка 3,3/5 В |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |

| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900004368872 |
| RoHS | відповідати |
| Вага | 0,001 кг |
| Дизайн | інвертувальний |
| ідентифікатор виробника | 1EDC30I12MH |
| Канали | 1 |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85423990 |
| Мoдель | Ізольований однозакривний драйвер/ Високовольтний драйвер |
| Напруга живлення | VCC1 3.1..5.5; VCC2 VDC |
| Особливість | Логіка 3,3/5 В |
| Піковий струм джерела | 3 А |
| Піковий струм стоку | 3 А |
| Спосіб кріплення | SMD |
| Температурний діапазон | -40..+125 |
| Технологія | IGBT, MOSFET |
| Тип | Драйвер затвора |
| Форма монтажа | PG-DSO Wide Body-8 |