
325 ₴
Показати оптові ціни
Відправка з 15 жовтня 2026Силовий МОП-транзистор
УніФЕТ
UniFET™ MOSFET – це сімейство високовольтних MOSFET від ON Semiconductor, що базується на планарній смуговій технології та DMOS.
Цей MOSFET розроблений для зменшення опору увімкненому стані та забезпечення кращої комутаційної продуктивності й вищої енергії лавинного розряду. Це сімейство пристроїв підходить для імпульсних джерел живлення, таких як корекція коефіцієнта потужності (PFC), блоки живлення для плоских телевізорів (FPD), ATX та баласти електронних ламп.
Додатки
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | ТО-220 |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | ФДП18Н50 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ПауерТренч |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 500 V |
| Ідентифікатор | 18.00 ранку |
| Загальна кількість | 235 Вт |
| RDS (увімкнено) | 265 мОм |
| тд (увімкнено) | 55 |
| тд (вимкнено) | 95 |
| Зворотне стягнення | 5400 нКл |
| Ugs | ±30 В |
| Vgs(th) | 3,0..5,0 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | ні |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | ONSEMI |

| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900003791268 |
| Id | 18.00 А |
| Ptot | 235 W |
| RDS (вмик.) | 265 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 500 V |
| Vgs(th) | 3.0..5.0 В |
| td (off) | 95 |
| td (on) | 55 |
| Базовий номер продукту | FDP18N50 |
| Вага | 0,0028 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | FDP18N50 |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | PowerTrench |
| Особливість | Немає |
| Плата за зворотне відновлення | 5400 нКл |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | THT |
| Температурний діапазон | -55..+150 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±30 В |
| Форма монтажа | TO-220 |