
329 ₴
Показати оптові ціни
Відправка з 15 жовтня 2026"OMNIFET": ПОВНІСТЮ ЗАХИЩЕНИЙ СИЛОВИЙ МОСФЕТ
особливості
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | D2PAK |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | ВНБ10Н07 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | Силовий МОП-транзистор |
| Режим | Немає класичних MOSFET/перехідників |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 70 В |
| Ідентифікатор | 10.00 А |
| Загальна кількість | 50 W |
| RDS (увімкнено) | 100 мОм |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -40..+150 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | SMD |
| Матеріал | Сі |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | СТМІКРОЕЛЕКТРОНІКС |

| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002549945 |
| Id | 10.00 А |
| Ptot | 50 Вт |
| RDS (вмик.) | 100 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 70 V |
| Базовий номер продукту | VNB10N07 |
| Вага | 0,001 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | VNB10N07-E |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | Силовий МОП-транзистор |
| Режим | Некласичний MOSFET/тато |
| Спосіб кріплення | SMD |
| Температурний діапазон | -40..+150 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Форма монтажа | D2PAK |