MOSFET, N-канальний, 600 В, 8 А, 0,9 Ом, 150 Вт, TO-220AB

207 ₴

Показати оптові ціни

Мінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴

Відправка з 15 жовтня 2026

MOSFET, N-канальний, 600 В, 8 А, 0,9 Ом, 150 Вт, TO-220ABПід замовлення

207 ₴

+380 (67) 106-52-87

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Силовий транзистор SIPMOS®

- N-канал
- режим покращення
- стійкий до лавин

Генерал
Технологія	N-канал
Форма кріплення	TO-220AB
Дизайн	Неодружений
Базовий номер продукту	BUZ91A
Тип	Комутаційний силовий транзистор
Модель	Силовий МОП-транзистор
Режим	Покращення
Кваліфікація	Стандартний
Електричні показники
УДС	600 V
Ідентифікатор	8.00 А
Загальна кількість	150 W
RDS (увімкнено)	900 мОм
Ugs	±20 В
Vgs(th)	2,1..4 В
Інше
Температурний діапазон	-55..+150
Реалізація
Стиль монтажу	ТТТ.
Матеріал	Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість	HV 600V
Технічні характеристики виробника
Виробник	INFINEON

Характеристики

Основні
Виробник	Infineon
Користувальницькі характеристики
EAN/GTIN	9900000415662
Id	8.00 A
Ptot	150 Вт
RDS (вмик.)	900 мОм
RoHS	відповідати
UDS	600 V
Vgs(th)	2.1..4 В
Базовий номер продукту	BUZ91A
Вага	0,002 кг
Дизайн	Одинокий
ідентифікатор виробника	BUZ91A
Каліфікація	Стандарт
Код ТН ВЕД	85412900
Матеріал	Si
Мoдель	Силовий МОП-транзистор
Особливість	ВН 600 В
Режим	Поліпшення
Спосіб кріплення	THT
Температурний діапазон	-55..+150
Технологія	N-канальний
Тип	Перемикний силовий транзистор
Вугс	±20 В
Форма монтажа	TO-220AB

Інформація для замовлення