MOSFET N-Ch 600V 10A 90W 0.45R TO220

269 ₴

Показати оптові ціни

Мінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴

Відправка з 15 жовтня 2026

MOSFET N-Ch 600V 10A 90W 0.45R TO220Під замовлення

269 ₴

+380 (67) 106-52-87

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

N-канальний 600 В, 0,37 Ом, 10 А, потужний МОП-транзистор FDmesh™ II

особливості

Найкраща у світі область RDS(on)* серед пристроїв із швидковідновлювальними діодами
100% протестовано на стійкість до лавин
Низька вхідна ємність і заряд затвора
Низький вхідний опір затвора
Надзвичайно високі dv/dt та лавинні можливості

заявка

Генерал
Технологія	N-канал
Форма кріплення	ТО-220
Дизайн	Неодружений
Базовий номер продукту	STP11NM60ND
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель	МОП-транзистор STPOWER
Режим	Покращення
Кваліфікація	Стандартний
Електричні показники
УДС	600 V
Ідентифікатор	10.00 А
Загальна кількість	90 Вт
RDS (увімкнено)	450 мОм
Ugs	±25 В
Vgs(th)	3,0..4,0 В
Інше
Температурний діапазон	-55..+175
Реалізація
Стиль монтажу	ТТТ.
Матеріал	Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість	HV 600V
Технічні характеристики виробника
Виробник	СТМІКРОЕЛЕКТРОНІКС

Характеристики

Основні
Виробник	STMicroelectronics
Користувальницькі характеристики
EAN/GTIN	9900002573933
Id	10.00 А
Ptot	90 Вт
RDS (вмик.)	450 мОм
RoHS	відповідати
UDS	600 V
Vgs(th)	3.0..4.0 В
Базовий номер продукту	STP11NM60ND
Вага	0,002 кг
Дизайн	Одинокий
ідентифікатор виробника	STP11NM60ND
Каліфікація	Стандарт
Код ТН ВЕД	85412900
Матеріал	Si
Мoдель	ПОТУЖНИЙ MOSFET
Особливість	ВН 600 В
Режим	Поліпшення
Спосіб кріплення	THT
Температурний діапазон	-55..+175
Технологія	N-канальний
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Вугс	±25 В
Форма монтажа	TO-220

Інформація для замовлення