MOSFET, N-канальний, 600 В, 10 А, 200 Вт, 0,74 R, TO220AB

412 ₴

Показати оптові ціни

Відправка з 15 жовтня 2026

MOSFET, N-канальний, 600 В, 10 А, 200 Вт, 0,74 R, TO220ABПід замовлення

412 ₴

+380 (67) 106-52-87

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Режим посилення N-каналу
Лавинний рейтинг
Швидкий внутрішній випрямляч

особливості

Переваги

програми

Генерал
Технологія	N-канал
Форма кріплення	TO-220AB
Дизайн	Неодружений
Базовий номер продукту	IXFP10N60P
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель	HiPerFET
Режим	Покращення
Кваліфікація	Стандартний
Електричні показники
УДС	600 V
Ідентифікатор	10.00 А
Загальна кількість	200 Вт
RDS (увімкнено)	740 мОм
Ugs	±30 В
Vgs(th)	3,0..5,5 В
Інше
Температурний діапазон	-55..+150
Реалізація
Стиль монтажу	ТТТ.
Матеріал	Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість	HV 600V
Технічні характеристики виробника
Виробник	IXYS

Характеристики

Основні
Виробник	IXYS
Користувальницькі характеристики
EAN/GTIN	9900002573469
Id	10.00 А
Ptot	200 Вт
RDS (вмик.)	740 мОм
RoHS	відповідати
UDS	600 V
Vgs(th)	3.0..5.5 В
Базовий номер продукту	IXFP10N60P
Вага	0,002 кг
Дизайн	Одинокий
ідентифікатор виробника	IXFP10N60P
Каліфікація	Стандарт
Код ТН ВЕД	85412900
Матеріал	Si
Мoдель	HiPerFET
Особливість	ВН 600 В
Режим	Поліпшення
Спосіб кріплення	THT
Температурний діапазон	-55..+150
Технологія	N-канальний
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Вугс	±30 В
Форма монтажа	TO-220AB

Інформація для замовлення