RoboTrade
Контакти
+380 (67) 106-52-87
MOSFET N-канальний 60V 195A 0.0024R D²Pak
195 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴
- Під замовлення
- Оптом і в роздріб
- Код: 2629110187
Відправка з 15 жовтня 2026MOSFET N-канальний 60V 195A 0.0024R D²PakПід замовлення
195 ₴
+380 (67) 106-52-87
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Силовий МОП-транзистор HEXFET®
заявка
- Застосування щіткових двигунів у приводах
- Застосування приводів BLDC двигунів
- Схеми з живленням від батареї
- Напівмостова та повномостова топології
- Застосування синхронних випрямлячів
- Блоки живлення в резонансному режимі
- Перемикачі АБО та резервного живлення
- DC/DC та AC/DC перетворювачі
- Інвертори DC/AC
переваги
- Покращена стійкість до воріт, лавини та динамічного dV/dt
- Повністю охарактеризована ємність і лавинний SOA
- Покращені можливості корпусних діодів dV/dt та dI/dt
- Не містить свинцю, відповідає вимогам RoHS
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | D2PAK |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFS7534 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 60 В |
| Ідентифікатор | 195,00 А |
| Загальна кількість | 294 Вт |
| RDS (увімкнено) | 2,4 мОм |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,1..3,7 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | SMD |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002548023 |
| Id | 195.00 А |
| Ptot | 294 W |
| RDS (вмик.) | 2,4 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 60 V |
| Vgs(th) | 2.1..3.7 В |
| Базовий номер продукту | IRFS7534 |
| Вага | 0,0015 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IRFS7534TRLPBF |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особливість | Низький опір RDSon 5 мОм |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | SMD |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±20 В |
| Форма монтажа | D2PAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 195 ₴