MOSFET N-канальний 150 В 75 А 0,015 R D²Pak

284 ₴

Показати оптові ціни

Мінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴

Відправка з 15 жовтня 2026

MOSFET N-канальний 150 В 75 А 0,015 R D²PakПід замовлення

284 ₴

+380 (67) 106-52-87

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

HEXFET Power MOSFET

програми

переваги

Низький RDSON зменшує втрати
Низький заряд затвора покращує продуктивність перемикання
Покращене відновлення діодів покращує продуктивність комутації та електромагнітні характеристики
Номінальна напруга затвора 30 В підвищує надійність
Повністю охарактеризована Avalanche SOA

Генерал
Технологія	N-канал
Форма кріплення	D2PAK
Дизайн	Неодружений
Базовий номер продукту	IRFS4321
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель	ГЕКСПЕТ
Режим	Покращення
Кваліфікація	Стандартний
Електричні показники
УДС	150 В
Ідентифікатор	75,00 А
Загальна кількість	350 W
RDS (увімкнено)	12 мОм
тд (увімкнено)	18
тд (вимкнено)	25
Зворотне стягнення	300 нКл
Ugs	±20 В
Vgs(th)	2,0..4,0 В
фТ	1 МГц
Інше
Температурний діапазон	-55..+175
Реалізація
Стиль монтажу	SMD
Матеріал	Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість	ні
Технічні характеристики виробника
Виробник	INFINEON

Характеристики

Основні
Виробник	Infineon
Користувальницькі характеристики
EAN/GTIN	9900002547941
Id	75.00 А
Ptot	350 Вт
RDS (вмик.)	12 мОм
RoHS	відповідати
UDS	150 V
Vgs(th)	2.0..4.0 В
fT	1 МГц
td (off)	25
td (on)	18
Базовий номер продукту	IRFS4321
Вага	0,0015 кг
Дизайн	Одинокий
ідентифікатор виробника	IRFS4321TRLPBF
Каліфікація	Стандарт
Код ТН ВЕД	85412900
Матеріал	Si
Мoдель	HEXFET
Особливість	Немає
Плата за зворотне відновлення	300 нК
Режим	Поліпшення
Спосіб кріплення	SMD
Температурний діапазон	-55..+175
Технологія	N-канальний
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Вугс	±20 В
Форма монтажа	D2PAK

Інформація для замовлення