МОП-транзистор, N-канальний, 100 В, 180 А, 0,0047 R, D²Pak

231 ₴

Показати оптові ціни

Мінімальна сума замовлення на сайті — 300 ₴

Відправка з 15 жовтня 2026

МОП-транзистор, N-канальний, 100 В, 180 А, 0,0047 R, D²PakПід замовлення

231 ₴

+380 (67) 106-52-87

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

HEX-транзистор силовий MOSFET

Особливості

Покращена стійкість до стробу, лавинного стиснення та динамічної dv/dt стійкості
Повністю охарактеризована ємність та лавинна SOA
Покращена здатність dv/dt та dl/dt корпусного діода
Без свинцю

Додатки

Генерал
Технологія	N-канал
Форма кріплення	D2PAK
Дизайн	Неодружений
Базовий номер продукту	IRFS4010
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель	ГЕКСПЕТ
Режим	Покращення
Кваліфікація	Стандартний
Електричні показники
УДС	100 V
Ідентифікатор	180,00 А
Загальна кількість	375 Вт
RDS (увімкнено)	0,0047 Ом
тд (увімкнено)	21
тд (вимкнено)	100
Зворотне стягнення	210 нКл
Ugs	±20 В
Vgs(th)	2,0..4,0 В
Інше
Температурний діапазон	-55..+175
Реалізація
Стиль монтажу	SMD
Матеріал	Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість	Низький RDSon 5 мОм
Технічні характеристики виробника
Виробник	INFINEON

Характеристики

Основні
Виробник	Infineon
Користувальницькі характеристики
EAN/GTIN	9900003812789
Id	180.00 А
Ptot	375 W
RDS (вмик.)	0,0047 Ом
RoHS	відповідати
UDS	100 V
Vgs(th)	2.0..4.0 В
td (off)	100
td (on)	21
Базовий номер продукту	IRFS4010
Вага	0,0015 кг
Дизайн	Одинокий
ідентифікатор виробника	IRFS4010TRLPBF
Каліфікація	Стандарт
Код ТН ВЕД	85412900
Матеріал	Si
Мoдель	HEXFET
Особливість	Низький опір RDSon 5 мОм
Плата за зворотне відновлення	210 нК
Режим	Поліпшення
Спосіб кріплення	SMD
Температурний діапазон	-55..+175
Технологія	N-канальний
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Вугс	±20 В
Форма монтажа	D2PAK

Інформація для замовлення