
307 ₴
Показати оптові ціни
Відправка з 15 жовтня 2026HEXFET Power MOSFET
програми
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | D2PAK |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFS3006 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 60 В |
| Ідентифікатор | 195,00 А |
| Загальна кількість | 375 Вт |
| RDS (увімкнено) | 2,5 мОм |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,0..4,0 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | SMD |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |

| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002547828 |
| Id | 195.00 А |
| Ptot | 375 W |
| RDS (вмик.) | 2,5 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 60 V |
| Vgs(th) | 2.0..4.0 В |
| Базовий номер продукту | IRFS3006 |
| Вага | 0,0015 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| ідентифікатор виробника | IRFS3006TRLPBF |
| Каліфікація | Стандарт |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особливість | Низький опір RDSon 5 мОм |
| Режим | Поліпшення |
| Спосіб кріплення | SMD |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Вугс | ±20 В |
| Форма монтажа | D2PAK |