MOSFET, N-канальний, 600 В, 20,2 А, 151 Вт, 0,19R, TO220

331 ₴

Показати оптові ціни

Відправка з 14 жовтня 2026

MOSFET, N-канальний, 600 В, 20,2 А, 151 Вт, 0,19R, TO220Під замовлення

331 ₴

+380 (67) 106-52-87

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

600V CoolMOS™ C6 Power MOSFET

Особливості:

Легке керування поведінкою перемикання
Надзвичайно низькі втрати завдяки дуже низькому коефіцієнту якості (R DS(on)* Q g та E oss)
Дуже висока стійкість до комутації
Простий у використанні
Краща ефективність при малих навантаженнях у порівнянні з C3
Видатна надійність із перевіреною якістю CoolMOS™ у поєднанні з високою міцністю діодів корпусу
Краща ціна/якість у порівнянні з попередніми поколіннями CoolMOS™
Ефективніший, компактніший, легший і прохолодніший

Вигоди:

Покращена щільність потужності
Підвищена надійність
Деталь загального призначення може використовуватися як в м'якій, так і в жорсткій топології комутації
Краща ефективність при невеликому навантаженні
Підвищена ефективність у програмах з жорсткою комутацією
Покращена простота використання
Зменшує можливий дзвін через розташування друкованої плати та паразитні ефекти упаковки

Заявки:

Генерал
Технологія	N-канал
Форма кріплення	ТО-220
Дизайн	Неодружений
Базовий номер продукту	ІПП60Р190Ц6ХКСА1
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель	OptiMOS
Режим	Покращення
Кваліфікація	Стандартний
Електричні показники
УДС	600 V
Ідентифікатор	20.20 А
Загальна кількість	151 Вт
RDS (увімкнено)	190 мОм
Ugs	±20 В
Vgs(th)	3,0..4,5 В
Інше
Температурний діапазон	-55..+150
Реалізація
Стиль монтажу	ТТТ.
Матеріал	Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість	HV 600V
Технічні характеристики виробника
Виробник	INFINEON

Характеристики

Основні
Виробник	Infineon
Користувальницькі характеристики
EAN/GTIN	9900002573414
Id	20.20 А
Ptot	151 W
RDS (вмик.)	190 мОм
RoHS	відповідати
UDS	600 V
Vgs(th)	3.0..4.5 В
Базовий номер продукту	IPP60R190C6XKSA1
Вага	0,002 кг
Дизайн	Одинокий
ідентифікатор виробника	IPP60R190C6XKSA1
Каліфікація	Стандарт
Код ТН ВЕД	85412900
Матеріал	Si
Мoдель	OptiMOS
Особливість	ВН 600 В
Режим	Поліпшення
Спосіб кріплення	THT
Температурний діапазон	-55..+150
Технологія	N-канальний
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Вугс	±20 В
Форма монтажа	TO-220

Інформація для замовлення