3 005 ₴
Показати оптові ціни
Відправка з 16 вересня 2026Силовий MOSFET класу X3 HiPerFET
Режим покращення N-каналу
Швидкий власний діод
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | SOT-227B |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Електричні показники | |
| УДС | 250 V |
| Ідентифікатор | 146 А |
| RDS (увімкнено) | 7,4 мОм |
| Загальна кількість | 390 Вт |
| тд (увімкнено) | 18 |
| тд (вимкнено) | 62 |
| Зворотне стягнення | 980 нКл |
| фТ | 1 МГц |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55...+150 |
| Реалізація | |
| Матеріал | Сі |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | IXYS |

| Размеры | |
|---|---|
| Вага | 0.046 кг |
| Основні | |
| Виробник | IXYS |
| Користувальницькі характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900003789319 |
| Id | 146 А |
| Ptot | 390 Вт |
| RDS (вмик.) | 7,4 мОм |
| RoHS | відповідати |
| UDS | 250 В |
| fT | 1 МГц |
| td (off) | 62 |
| td (on) | 18 |
| ідентифікатор виробника | IXFN170N25X3 |
| Код ТН ВЕД | 85412900 |
| Матеріал | Si |
| Плата за зворотне відновлення | 980 нКл |
| Температурний діапазон | -55...+150 |
| Технологія | N-канальний |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Форма монтажа | SOT-227B |