Высокоскоростная SRAM, 1 Мб (128 К x 8), 3,3 В, 10 нс, SOJ-32

Високошвидкісна статична пам'ять CMOS 3,3V 128kx8 10ns SOJ-32

Функціональний опис
CY7C1019DV33 - це високопродуктивна статична CMOS-пам'ять, організована у вигляді 131 072 слів по 8 біт. Легке розширення пам'яті забезпечується активним низьким рівнем дозволу мікросхеми (CE), активним низьким рівнем дозволу виходу (OE) та тристадійними драйверами. Пристрій має функцію автоматичного вимкнення живлення, яка значно зменшує енергоспоживання при відключенні. Запис до пристрою виконується шляхом встановлення низького рівня на входах Chip Enable (CE) і Write Enable (WE). Дані з восьми виводів вводу/виводу (I/O0 - I/O7) записуються в комірку, вказану на адресних виводах (A0 - A16). Зчитування з пристрою виконується шляхом встановлення низького рівня виводів Chip Enable (CE) і Output Enable (OE), при цьому виводи Write Enable (WE) встановлюються у високий рівень. За цих умов вміст комірки пам'яті, вказаної адресними виводами, з'явиться на виводах вводу/виводу. Вісім виводів вводу/виводу (I/O0 - I/O7) знаходяться у високоімпедансному стані, коли пристрій не вибрано (CE HIGH), виходи відключені (OE HIGH) або під час операції запису (CE LOW і WE LOW). CY7C1019DV33 випускається в безсвинцевому 32-контактному корпусі SOJ, 32, шириною 400 міліметрів.

Особливості
- Сумісний з CY7C1019CV33 за контактами та функціями
- Висока швидкість: taa = 10 нс
- Низька активна потужність: Icc = 60 мА при 10 нс
- Низьке енергоспоживання CMOS в режимі очікування: Isb2 = 3 мА
- Збереження даних 2,0 В
- Автоматичне вимкнення живлення після зняття вибору
- CMOS для оптимальної швидкості/потужності
- Центральна розпіновка живлення/заземлення
- Легке розширення пам'яті за допомогою опцій CE та OE
- Доступний у безсвинцевих литих корпусах SOJ шириною 400 міл з 32 виводами