SRAM, 1 Мб (128 К x 8), 5 В, 45нс, SOP-32

1 Мбіт (128 К × 8) статична оперативна пам'ять, SRAM, 5 В 128 кх8 45 нс SOP32

Опис
CY62128E — це високопродуктивна статична оперативна пам'ять CMOS, організована як 128 тисяч слів по 8 біт. Цей пристрій має вдосконалену схемотехніку для забезпечення наднизького активного струму. Це ідеально підходить для збільшення терміну служби батареї (MoBL?) у портативних пристроях. Пристрій також має функцію автоматичного вимкнення живлення, яка значно зменшує споживання енергії, коли адреси не перемикаються. Переведення пристрою в режим очікування зменшує споживання енергії більш ніж на 99 відсотків, коли вибір не знято (CE1 HIGH або CE2 LOW). Вісім вхідних і вихідних контактів (I/O0 - I/O7) переводяться у стан високого імпедансу, коли вибір пристрою не знято (CE1 HIGH або CE2 LOW), виходи вимкнено (OE HIGH) або виконується операція запису (CE1 LOW, CE2 HIGH та WE LOW). Для запису на пристрій необхідно підключити входи Chip Enable (CE1 LOW та CE2 HIGH) та Write Enable (WE) до LOW. Дані на восьми контактах вводу/виводу (I/O0 - I/O7) потім записуються в місце, вказане на адресних контактах (A0 - A16). Для зчитування з пристрою необхідно встановити низький рівень сигналу ввімкнення мікросхеми (CE1) та високий рівень сигналу ввімкнення виводу (OE) та високий рівень сигналу ввімкнення виводу (WE), одночасно встановивши високий рівень сигналу ввімкнення запису (WE). За цих умов вміст місця пам'яті, вказаного адресними контактами, з'являється на контактах вводу/виводу. Пристрій CY62128E підходить для взаємодії з процесорами, які мають рівні вводу/виводу TTL. Він не підходить для процесорів, які потребують рівнів вводу/виводу CMOS.

Особливості
- Надзвичайно низький струм очікування
- Дуже висока швидкість: 45 нс
- Діапазон температур: Промисловий: від -40 °C до +85 °C
- Діапазон напруги: від 4,5 В до 5,5 В
- Сумісний з CY62128B за виводами
- Надзвичайно низьке енергоспоживання в режимі очікування
- Типовий струм у режимі очікування: 1 мкА
- Максимальний струм у режимі очікування: 4 мкА (промисловий)
- Ультранизька активна потужність
- Типовий активний струм: 1,3 мА при f = 1 МГц
- Легке розширення пам'яті за допомогою функцій CE1, CE2 та OE
- Автоматичне вимкнення живлення після зняття вибору
- комплементарний металоксид-напівпровідник (КМОП) для оптимальної швидкості та потужності
- Пропонуються у стандартних безсвинцевих 32-контактних корпусах STSOP, 32-контактних SOIC та 32-контактних тонких корпусах малого контуру (TSOP) типу I.