Оптопара, 3,75 кВ, 1 МБд, двухканальная, SOP-8

2xОпто 3,75 кВ 1 МБд SO8

EL053X-Bauelemente bestehen jeweils aus einer Infrarot-Emissionsdiode,die optisch mit einem Hochgeschwindigkeits-Fotodetektortransistor gekoppelt ist. Ein sectionar Anschluss für die Vorspannung der Fotodiode und den Kollektor des Ausgangstransistors erhöhen die Geschwindigkeit um mehrere Größenordnungen gegenüber herkömmlichen Fototransistorkopplern, indem die Basis-Kollektor-Kapazität des des Eingangstransistors.
Die Bauelemente sind in einem 8-Pin-Gehäuse mit kleinem Querschnitt untergebracht, das das dem Standard-SO-8-Gehäuse entspricht.