Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 09:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 08.10)

RoboTrade
Контакты
RoboTradeАнтоніна
+380 (67) 106-52-87

Низковольтный MOSFET/IGBT 1-канальный 1/2A SOIC-8

228 ₴

Показать оптовые цены

Минимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴

  • Под заказ
  • Оптом и в розницу
  • Код: 3716988534
clockОтправка с 14 октября 2026
Низковольтный MOSFET/IGBT 1-канальный 1/2A SOIC-8Под заказ
228 ₴
+380 (67) 106-52-87
+380 (67) 106-52-87
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

MC33153DR2G із сімейства MC33153 є нижньою стороною IGBT-Gate-Treiber для IGBT, MOSFET, біполярного транзистора. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1 A Source / 2 A Sink. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, invertierend, Desaturation-/Overcurrent-Sense, UVLO, Fault/Protection-Funktionen. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40+105 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Генерал
Тип Ґейт-Трайбер
Модель Низькочастотний IGBT-дротовий затвор
Дизайн інвертування
Технологія IGBT, MOSFET, біполярний транзистор
Форма кріплення SO-8
Кваліфікація Стандартний
Інше
Температурний діапазон -40..+105
Реалізація
Канали 1
Стиль монтажу SMD
Електричні показники
Піковий струм джерела 1 A
Піковий струм стоку 2 A
Технічні характеристики виробника
Виробник ONSEMI

 

1-канальний MOSFET/IGBT низькочастотний 1/2A SOIC-8
Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Пользовательские характеристики
EAN/GTIN9900004368575
RoHSсоответствовать
Вес0,001 кг
Дизайнинвертирующий
Идентификатор производителяMC33153DR2G
Каналы1
КвалификацияСтандарт
Код ТН ВЭД85423990
МoдельНижний затвор IGBT-транзистора
Пиковый ток источника1 A
Пиковый ток стока2 A
Способ крепленияSMD
Температурный диапазон-40..+105
ТехнологияIGBT, MOSFET, биполярный транзистор
ТипДрайвер затвора
Форма монтажаSO-8
Информация для заказа
  • Цена: 228 ₴