MOSFET, N-канальный, 600 В, 22 А, 205 Вт, сопротивление 0,165 Ом, корпус TO-247

Силовий МОП-транзистор
СУПРЕМОС

MOSFET SUPREMOS® – це наступне покоління технології високовольтних суперпереходів (SJ) від ON Semiconductor з глибоким заповненням траншей, що відрізняється від традиційних MOSFET SJ.
Ця передова технологія та точне керування процесом забезпечують найнижчий відповідний опір у увімкненому стані, відмінну комутаційну продуктивність та надійність. MOSFET-транзистори SUPREMOS підходять для високочастотних імпульсних джерел живлення, таких як PFC, джерела живлення для серверів/телекомунікацій, джерела живлення для телевізорів FPD, джерела живлення ATX та промислові джерела живлення.

Особливості

• 650 В при ТДж = 150°C
• Типовий RDS(увімк.) = 140 мОм
• Надзвичайно низький заряд затвора (зазвичай Qg = 45 нКл)
• Низька ефективна вихідна ємність (зазвичай Coss(eff.) = 196,4 пФ)
• 100% протестовано на стійкість до лавин
• Не містить свинцю та відповідає вимогам RoHS

• Плазмовий телевізор
• Сонячний інвертор
• Джерело живлення змінного/постійного струму