MOSFET, N-канальный, 40 В, 195 А, 0,00175 Ом, D²Pak

298 ₴

Показать оптовые цены

Минимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴

Отправка с 15 октября 2026

MOSFET, N-канальный, 40 В, 195 А, 0,00175 Ом, D²PakПод заказ

298 ₴

+380 (67) 106-52-87

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

HEX-транзистор силовий MOSFET

Особливості

Покращена стійкість до стробу, лавинного стиснення та динамічної dv/dt стійкості
Повністю охарактеризована ємність та лавинна SOA
Покращена здатність dv/dt та dl/dt корпусного діода
Без свинцю

Додатки

Генерал
Технологія	N-канал
Форма кріплення	D2PAK
Дизайн	Неодружений
Базовий номер продукту	IRFS3004
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель	ГЕКСПЕТ
Режим	Покращення
Кваліфікація	Стандартний
Електричні показники
УДС	40 V
Ідентифікатор	195,00 А
Загальна кількість	380 Вт
RDS (увімкнено)	0,00175 Ом
тд (увімкнено)	23
тд (вимкнено)	90
Зворотне стягнення	18 нКл
Ugs	±20 В
Vgs(th)	2,0..4,0 В
Інше
Температурний діапазон	-55..+175
Реалізація
Стиль монтажу	SMD
Матеріал	Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість	Низький RDSon 5 мОм; LV 40 В
Технічні характеристики виробника
Виробник	INFINEON

Характеристики

Основные
Производитель	Infineon
Пользовательские характеристики
EAN/GTIN	9900003812772
Id	195.00 А
Ptot	380 Вт
RDS (вкл.)	0,00175 Ом
RoHS	соответствовать
UDS	40 V
Vgs(th)	2.0..4.0 В
td (off)	90
td (on)	23
Базовый номер продукта	IRFS3004
Вес	0,0015 кг
Дизайн	Одинокий
Идентификатор производителя	IRFS3004TRLPBF
Квалификация	Стандарт
Код ТН ВЭД	85412900
Материал	Si
Мoдель	HEXFET
Особенность	Низкое сопротивление RDSon 5 мОм; Низкое напряжение 40 В
Плата за обратное восстановление	18 nC
Режим	Улучшение
Способ крепления	SMD
Температурный диапазон	-55..+175
Технология	N-канальный
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Угс	±20 В
Форма монтажа	D2PAK

Информация для заказа