
198 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
Отправка с 15 октября 2026Силовий МОП-транзистор HEXFET®
Заявка
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | TO-220AB |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRFB7530 |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 60 В |
| Ідентифікатор | 195,00 А |
| Загальна кількість | 375 Вт |
| RDS (увімкнено) | 2 мОм |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,1..3,7 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | ТТТ. |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |

| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002573605 |
| Id | 195.00 А |
| Ptot | 375 W |
| RDS (вкл.) | 2 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 60 V |
| Vgs(th) | 2.1..3.7 В |
| Базовый номер продукта | IRFB7530 |
| Вес | 0,002 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | IRFB7530PBF |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особенность | Низкое сопротивление RDSon 5 мОм |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | THT |
| Температурный диапазон | -55..+175 |
| Технология | N-канальный |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Угс | ±20 В |
| Форма монтажа | TO-220AB |