MOSFET N-канальный, 150 В, 83 А, 330 Вт, 0,015 Ом, TO220AB

309 ₴

Показать оптовые цены

Отправка с 15 октября 2026

MOSFET N-канальный, 150 В, 83 А, 330 Вт, 0,015 Ом, TO220ABПод заказ

309 ₴

+380 (67) 106-52-87

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Силовий МОП-транзистор HEXFET®

особливості

Передова технологія процесу
Ключові параметри, оптимізовані для додатків PDP-підтримки, рекуперації енергії та комутаторів пропуску
Низький показник EPULSE для зменшення розсіювання потужності в системах підтримки PDP, рекуперації енергії та прохідних комутаторах
Низький QG для швидкого реагування
Висока здатність до повторюваного пікового струму для надійної роботи
Короткий час спаду та підйому для швидкого перемикання
Робоча температура переходу 175°C для підвищеної міцності
Повторна лавинна стійкість для міцності та надійності

Генерал
Технологія	N-канал
Форма кріплення	TO-220AB
Дизайн	Неодружений
Базовий номер продукту	IRFB4228
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель	ГЕКСПЕТ
Режим	Покращення
Кваліфікація	Стандартний
Електричні показники
УДС	150 В
Ідентифікатор	83.00 А
Загальна кількість	330 Вт
RDS (увімкнено)	15 мОм
Ugs	±20 В
Vgs(th)	2,0..4,0 В
Інше
Температурний діапазон	-55..+175
Реалізація
Стиль монтажу	ТТТ.
Матеріал	Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість	ні
Технічні характеристики виробника
Виробник	INFINEON

Характеристики

Основные
Производитель	Infineon
Пользовательские характеристики
EAN/GTIN	9900002573322
Id	83.00 А
Ptot	330 Вт
RDS (вкл.)	15 мОм
RoHS	соответствовать
UDS	150 V
Vgs(th)	2.0..4.0 В
Базовый номер продукта	IRFB4228
Вес	0,002 кг
Дизайн	Одинокий
Идентификатор производителя	IRFB4228PBF
Квалификация	Стандарт
Код ТН ВЭД	85412900
Материал	Si
Мoдель	HEXFET
Особенность	Нет
Режим	Улучшение
Способ крепления	THT
Температурный диапазон	-55..+175
Технология	N-канальный
Тип	МОП-ТРАНЗИСТОР
Угс	±20 В
Форма монтажа	TO-220AB

Информация для заказа