
200 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 300 ₴
Отправка с 14 октября 2026Опис
Цей потужний MOSFET HEXFET® використовує найновіші технології обробки для досягнення надзвичайно низького опору включення на одну кремнієву ділянку. Додатковими особливостями цієї конструкції є робоча температура переходу 175°C, висока швидкість перемикання та покращений показник повторюваної лавинної стійкості. Ці характеристики разом роблять цю конструкцію надзвичайно ефективним та надійним пристроєм для використання в широкому спектрі застосувань.
Особливості
- передова технологія обробки
- наднизький опір увімкнення
Робоча температура - 175°C
- швидке перемикання
- повторювана лавина Дозволено до Tjmax
- без свинцю
| Генерал | |
| Технологія | N-канал |
| Форма кріплення | D2PAK |
| Дизайн | Неодружений |
| Базовий номер продукту | IRF1404ZS |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Модель | ГЕКСПЕТ |
| Режим | Покращення |
| Кваліфікація | Стандартний |
| Електричні показники | |
| УДС | 40 V |
| Ідентифікатор | 120,00 А |
| Загальна кількість | 200 Вт |
| RDS (увімкнено) | 3,7 мОм |
| Ugs | ±20 В |
| Vgs(th) | 2,0..4,0 В |
| Інше | |
| Температурний діапазон | -55..+175 |
| Реалізація | |
| Стиль монтажу | SMD |
| Матеріал | Сі |
| Спеціальні пропозиції | |
| Особливість | Низький RDSon 5 мОм; LV 40 В |
| Технічні характеристики виробника | |
| Виробник | INFINEON |

| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002546852 |
| Id | 120.00 А |
| Ptot | 200 Вт |
| RDS (вкл.) | 3,7 мОм |
| RoHS | соответствовать |
| UDS | 40 V |
| Vgs(th) | 2.0..4.0 В |
| Базовый номер продукта | IRF1404ZS |
| Вес | 0,002 кг |
| Дизайн | Одинокий |
| Идентификатор производителя | IRF1404ZSTRLPBF |
| Квалификация | Стандарт |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Материал | Si |
| Мoдель | HEXFET |
| Особенность | Низкое сопротивление RDSon 5 мОм; Низкое напряжение 40 В |
| Режим | Улучшение |
| Способ крепления | SMD |
| Температурный диапазон | -55..+175 |
| Технология | N-канальный |
| Тип | МОП-ТРАНЗИСТОР |
| Угс | ±20 В |
| Форма монтажа | D2PAK |