
673 ₴
Показать оптовые цены
Отправка с 16 сентября 2026Кремниевые силовые транзисторы с комплементарной схемой Дарлингтона
Предназначен для усилителей общего назначения и низкочастотных коммутационных приложений.
- Высокий коэффициент усиления по постоянному току при IC = 10 А постоянного тока
- hFE = 2400 (тип.) - 2N6284
- hFE = 4000 (тип.) - 2N6287
- Напряжение поддержания коллектор-эмиттер
- VCEO(sus) = 100 В пост. тока (мин.)
- Монолитная конструкция со встроенными шунтирующими резисторами база-эмиттер
| Общие сведения | |
| Тип | Биполярные транзисторы (BJT) |
| Дизайн | Дарлингтон-Трансисторен |
| Технология | NPN |
| Форма монтажа | TO-3 |
| Электрические величины | |
| Uceo | 100 V |
| Ic | 20 А |
| Ptot | 160 Вт |
| fT | 4 МГц |
| hFE | 2400 |
| Технические характеристики производителя | |
| Производитель | ONSEMI |

| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Пользовательские характеристики | |
| EAN/GTIN | 9900002171283 |
| Ic | 20 А |
| Ptot | 160 Вт |
| RoHS | соответствовать |
| Uceo | 100 V |
| fT | 4 МГц |
| hFE | 2400 |
| Вес | 0,018 кг |
| Дизайн | Дарлингтон-Трансисторен |
| Идентификатор производителя | 2N6284G |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Технология | NPN |
| Тип | Биполярные транзисторы (BJT) |
| Форма монтажа | TO-3 |