N-MOSFET транзистор 2N7000 - 10 шт.

Опис продукту: N-MOSFET транзистор 2N7000 - 10 шт.

Уніполярний транзистор N-MOSFET THT, 60 В, 0,2 А. Ціна за 10 штук.

Технічні характеристики транзисторів

• N-MOSFET уніполярний транзистор
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Струм стоку: 200 мА
• Напруга затвор-витік: +/- 20 В
• Опір у увімкненому стані: 5 Ом
• Корпус: TO92 (DIP)

N-MOSFET-транзистор 2N7000.

N-MOSFET транзистор 2N7000 - 10 шт. - струми комутації до 500 мА

Польовий транзистор N-типу 2N7000 з покращеним каналом є одним з найпопулярніших дискретних напівпровідникових приладів, що використовується як ентузіастами електроніки, так і професійними конструкторами. Цей компонент може контролювати струми комутації до 500 мА. Найближчим комплементарним еквівалентом 2N7000 є BS250P, P-MOSFET.

Де можна використовувати N-MOSFET-транзистор 2N7000?

2N7000 – це транзистор, характеристики насичення якого дуже схожі на транзистори Дарлінгтона. Найпростіше застосування 2N7000 – це комутація живлення в малопотужних схемах, включаючи мініатюрні лампочки, двигуни та електромагнітні реле. Завдяки високому вхідному опору затвор транзистора 2N7000 практично не споживає струм. Щоб збільшити загальну струмову здатність, N-MOSFET-транзистори 2N7000 можна підключати паралельно до їхніх відповідних виводів.