Модуль энергонезависимой памяти FRAM 256k бит/32k байт

Описание

FRAM (ферроэлектрическая оперативная память) — это крутейший новый метод хранения данных, о котором говорят все модные журналы. Ой, подождите, нет, это стеганые сумки. Но FRAM тоже чертовски крут! Это похоже на динамическую память с произвольным доступом, только вместо диэлектрического слоя используется сегнетоэлектрический слой. Это обеспечивает стабильную обработку (записываемые вами байты не энергонезависимы) и динамическую реакцию (вы можете записывать их очень быстро!)

Теперь с нашей коммутационной платой I2C FRAM вы можете добавить немного памяти FRAM в свой следующий проект «сделай сам». FRAM обеспечивает меньшее энергопотребление и более высокую скорость записи. Он отлично подходит для регистрации данных или буферизации данных при низком или нестабильном энергопотреблении, когда требуется быстрая потоковая передача данных и сохранение данных при отключении питания. В отличие от Flash или EEPROM здесь не нужно беспокоиться о страницах. Каждый байт может быть прочитан/записан 10 000 000 000 000 раз, поэтому вам не придется слишком беспокоиться о выравнивании износа.

Данный чип FRAM имеет 256 Кбит (32 Кбайт) памяти, интерфейсы с использованием I2C и может работать на частоте I2C до 1 МГц. Каждый байт может быть считан и записан мгновенно (как в SRAM), но при комнатной температуре память будет сохраняться в течение 95 лет.

Мы выбрали самый большой чип, который имеет I2C и совместим с напряжением 5 В. Эту микросхему можно использовать с питанием и логикой 3 В или 5 В. Поставляется в удобной для макетирования разводке и с запасным штыревым разъемом 0,1" для пайки.

У нас также есть плата коммутации SPI FRAM, которая меньше по размеру, но быстрее (максимальная тактовая частота SPI 20 МГц).

Технические подробности

Размеры:

• 15,5 мм x 20 мм x 2 мм / 0,6" x 0,8" x 0,1"
• Расстояние между монтажными отверстиями: 14 мм / 0,6"
• Вес: 1,2 г

Скачать:

• Техническая спецификация