DDR3 SDRAM 2 Гб 1,5 В B-die для високошвидкісної роботи, 1600 Мбіт/с, 8 банків, 78-Ball BGA, RoHS

DDR3 2 Гб SDRAM, 1,5 В

опис:

2Gb Double-Data-Rate-3 (DDR3) B-die DRAM — це архітектура подвійної швидкості передачі даних для досягнення високошвидкісної роботи. Він внутрішньо налаштований як вісім банків DRAM. Мікросхема 2 Гб організована як 32 Мбіт x 8 вводів/виходів x 8 банків або 16 Мбіт x 16 вводів/виходів x 8 банківських пристроїв. Ці синхронні пристрої забезпечують високу швидкість передачі даних із подвійною швидкістю до 1600 Мбіт/с/пін для загальних програм. Мікросхема розроблена таким чином, щоб відповідати всім ключовим функціям DDR3 DRAM, і всі входи керування та адреси синхронізовані з парою зовнішніх диференціальних годинників. Входи фіксуються в точці перетину диференціальних тактових сигналів (підвищення CK і падіння CK). Усі входи/виходи синхронізуються з одностороннім DQS або диференціальною парою DQS у синхронному режимі джерела. Ці пристрої працюють від однієї напруги 1,5 В ± Джерело живлення 0,075 В і доступні в корпусах BGA.

особливості:

• 1,5 В +/- 0,075 В (стандартне джерело живлення JEDEC)
• 8 банків внутрішньої пам'яті (BA0-BA2)
• Диференціальний вхід синхронізації (CK, CK)
• Програмована затримка CAS: 6, 7, 8, 9, 10, 11
• Затримка запису CAS (CWL): 5,6,7,8
• ПУБЛІКУВАНА ДОБАВКА CAS Програмована адитивна затримка (AL): 0, CL-1, CL-2
• Програмований послідовний / Interleave пакетний тип
• Програмована довжина пакету: 4, 8
• 8n-розрядна архітектура попередньої вибірки
• Контроль імпедансу вихідного драйвера
• Диференціальний двонаправлений строб даних
• Написати вирівнювання
• Калібрування OCD
• Динамічний ODT (Rtt_Nom і Rtt_WR)
• Автоматичне самооновлення
• Температура самооновлення
• Відповідність RoHS
• Пакет: 78-кульковий BGA
• Робоча температура Комерційний клас (0℃≦TC≦95℃)

Розпиновка пам'яті: