DDR3 SDRAM 2 Гб 1,5 В B-die для высокоскоростной работы, 1600 Мбит/с, 8 банков, 78-Ball BGA, RoHS

DDR3 2 Гб SDRAM, 1,5 В

Описание:

Память DRAM B-die DRAM объемом 2 Гбит с удвоенной скоростью передачи данных (DDR3) представляет собой архитектуру с удвоенной скоростью передачи данных, обеспечивающую высокоскоростную работу. Внутренняя конфигурация представляет собой восемь банков DRAM. Чип емкостью 2 Гбит организован как устройства 32 Мбит x 8 входов/выходов x 8 банков или 16 Мбит x 16 входов/выходов x 8 банков. Эти синхронные устройства обеспечивают высокую скорость передачи данных с удвоенной скоростью до 1600 Мбит/с на контакт для общих приложений. Чип разработан с учетом всех ключевых функций DDR3 DRAM, а все входы управления и адреса синхронизированы с парой внешних дифференциальных тактовых сигналов. Входы фиксируются в точке пересечения дифференциальных тактовых сигналов (CK растет и CK падает). Все входы/выходы синхронизированы с помощью однопроводной пары DQS или дифференциальной пары DQS в режиме синхронизации источника. Эти устройства работают от одного источника питания напряжением 1,5 В ± Напряжение питания 0,075 В, доступны в корпусах BGA.

Функции:

• 1,5 В +/- 0,075 В (стандартный блок питания JEDEC)
• 8 внутренних банков памяти (BA0-BA2)
• Дифференциальный вход синхронизации (CK, CK)
• Программируемая задержка CAS: 6, 7, 8, 9, 10, 11
• Задержка записи CAS (CWL): 5,6,7,8
• ОПУБЛИКОВАННАЯ CAS ADDITIVE Программируемая аддитивная задержка (AL): 0, CL-1, CL-2
• Программируемый последовательный/перемежающийся пакетный тип
• Программируемая длина пакета: 4, 8
• 8n-битная архитектура предварительной выборки
• Управление выходным импедансом драйвера
• Дифференциальный двунаправленный строб данных
• Написать выравнивание
• Калибровка ОКР
• Динамический ODT (Rtt_Nom и Rtt_WR)
• Автоматическое самообновление
• Температура самообновления
• Соответствие RoHS
• Упаковка: 78-Ball BGA
• Рабочая температура Коммерческий класс (0℃≦TC≦95℃)

Распиновка памяти: